إضافة المنتج إلى سلة التسوق الخاصة بك
- تقنية العاكس فائقة التردد 400 كيلو هرتز
- على أساس منصة Sic MOSFET التقنية
- نطاق جهد إدخال واسع
- نطاق جهد الإدخال الواسع هو 85 فولت تيار متردد - 265 فولت تيار متردد وتجنب المزيد من أعطال المعدات
- تصميم دائرة PFC
- حافظ على جهد الإدخال المستقر للعاكس
- ملي أمبير حلقة مغلقة
- تنظيم الخرج مللي أمبير من خلال حلقة مغلقة في الوقت الفعلي
- دقة مللي أمبير
< 2%
- جرعة تعرض منخفضة
- المزيد من الأشعة عالية الطاقة
- جرعة تعرض أقل
- وقت التعرض
- التنظير الدقيق المستمر 100 مللي ثانية - 20 ثانية
- التنظير الدقيق النبضي 100 مللي ثانية - 40 ثانية
- وزن القطعة الواحدة
- 7.3 كجم فقط، أخف وزنًا وأكثر ملاءمة
- أنبوب CEI عالي المستوى
- أنبوب CEI الأصلي المستورد
Use left/right arrows to navigate the slideshow or swipe left/right if using a mobile device
//
